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Softening of the insulating phase near Tc for the photo-induced insulator-to-metal phase transition in vanadium dioxide

机译:在Tc附近软化绝缘相用于光致诱导   二氧化钒中的绝缘体 - 金属相变

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摘要

We use optical-pump terahertz-probe spectroscopy to investigate thenear-threshold behavior of the photoinduced insulator-to-metal (IM) transitionin vanadium dioxide thin films. Upon approaching Tc a reduction in the fluencerequired to drive the IM transition is observed, consistent with a softening ofthe insulating state due to an increasing metallic volume fraction (below thepercolation limit). This phase coexistence facilitates the growth of ahomogeneous metallic conducting phase following superheating viaphotoexcitation. A simple dynamic model using Bruggeman effective medium theorydescribes the observed initial condition sensitivity.
机译:我们使用光泵太赫兹-探针光谱来研究二氧化钒薄膜中光诱导的绝缘体-金属(IM)过渡的阈值行为。接近Tc时,观察到驱动IM过渡所需的通量降低,这与由于金属体积分数增加(低于渗流极限)而导致的绝缘态软化相一致。该相共存促进通过光激发过热后非均质金属导电相的生长。使用布鲁格曼有效介质理论的简单动力学模型描述了观察到的初始条件敏感性。

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